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半片

  • 领先工艺,更可靠高效

  • 先进设备,驱动降本增效

  • 少子寿命:≥800us

  • 电阻率:0.3-2.1Ω.cm

  • 碳含量:≤1ppma

  • 氧含量:≤14ppma

尺寸

  • 182硅片
    尺寸 :182*91±0.15mm
    掺杂方式 :N型
    191-320.png
  • 210硅片
    尺寸 :210*105±0.15mm
    掺杂方式 :N型
    190-641.png

材料特性

项目规格
生长方式 CZ
晶体晶向 <100>±3°
导电类型 N型
位错密度 ≤500
项目 生长方式
规格 CZ
项目 晶体晶向
规格 <100>±3°
项目 导电类型
规格 N型
项目 位错密度
规格 ≤500

电性能

项目规格
氧含量 ≤14ppma
碳含量 ≤1ppma
电阻率 0.3-2.1Ω.cm
少子寿命 ≥800us
项目 氧含量
规格 ≤14ppma
项目 碳含量
规格 ≤1ppma
项目 电阻率
规格 0.3-2.1Ω.cm
项目 少子寿命
规格 ≥800us

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